VS-GB75YF120UT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | VS-GB75YF120UT |
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Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | IGBT MOD 1200V 100A ECONO2 4PACK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200 V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 4.5V @ 15V, 100A |
Supplier Device-Gehäuse | ECONO2 4PACK |
Serie | - |
Leistung - max | 480 W |
Verpackung / Gehäuse | Module |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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NTC-Thermistor | Yes |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Eingang | Standard |
IGBT-Typ | - |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 250 µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 A |
Grundproduktnummer | GB75 |
VS-GB75YF120UT Einzelheiten PDF [English] | VS-GB75YF120UT PDF - EN.pdf |
IGBT MOD 1200V 100A ECONO2 4PACK
IGBT 1200V 100A 480W ECONO
IGBT MODULE 1200V 658W SOT227
IGBT MOD 1200V 149A 862W SOT227
TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR
IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227
IGBT MOD 600V 147A 625W SOT227
IGBT MOD 1200V 150A INT-A-PAK
BRIDGE RECT 1P 400V 25A GBPC-A
TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR
BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-A
IGBT MOD 1200V 105A INT-A-PAK
RECT BRIDGE 1-PH 200V 25A GBPC-A
IGBT 1200V 100A 480W ECONO
MODULE IGBT SOT-227
IGBT 1200V 149A 862W SOT-227
IGBT 1200V 105A 500W INT-A-PAK
RECT BRIDGE 1-PH 200V 25A GBPC-W
IGBT MOD 1200V 149A 862W SOT227
IGBT 1200V 150A 543W INT-A-PAK
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() VS-GB75YF120UTVishay General Semiconductor - Diodes Division |
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Zielpreis (USD)
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